LP3669B和LP3669F是LP3669系列中的兩款不同型號的電源芯片,它們的主要區別在于支持的最大輸出功率和內置功率三極管的參數。以下是兩款芯片的具體差異:
功率等級:
LP3669B適用于5.0W的應用。
LP3669F適用于12.0W的應用。
內置功率三極管參數:
LP3669B的C、E極飽和電流(ICESAT)為0.4A。
LP3669F的C、E極飽和電流(ICESAT)為1.2A。
封裝類(lèi)型:
LP3669B采用SOP7_150MIL封裝。
LP3669F采用SOP8_150MIL封裝。
引腳數:
LP3669B有7個(gè)引腳。
LP3669F有8個(gè)引腳。
LP3669系列是高性能的雙繞組原邊反饋控制芯片,廣泛應用于隔離型適配器和充電器中。以下是LP3669系列電源芯片的基本工作電路圖和工作原理的簡(jiǎn)要說(shuō)明:
啟動(dòng):
芯片僅需1uA的啟動(dòng)電流,系統上電后啟動(dòng)電阻對Vcc的電容進(jìn)行充電,當Vcc電壓達到芯片開(kāi)啟閾值時(shí),芯片內部控制電路開(kāi)始工作。
恒流控制:
芯片逐周期檢測電感的峰值電流,CS端連接到內部的峰值電流比較器的輸入端,與內部閾值電壓進(jìn)行比較,當CS外部電壓達到內部檢測閾值時(shí),功率管關(guān)斷。
恒壓控制:
LP3669通過(guò)分壓電阻采樣反激電壓,電阻分壓后得到的電壓與內部基準比較形成閉環(huán)后,來(lái)恒定輸出電壓Vo。
保護功能:
LP3669集成了多種保護功能,包括VCC鉗位/欠壓保護,輸出短路保護,過(guò)溫保護等。
工作頻率:
LP3669工作于斷續模式,系統推薦最大頻率為60KHz。
輸出線(xiàn)補償:
LP3669采用了特有的輸出線(xiàn)損補償技術(shù),可以有效的補償輸出電流在線(xiàn)上的損耗壓降。
EMI優(yōu)化:
LP3669采用了特有的抖頻技術(shù),可以在不增加系統成本的情況下,優(yōu)化EMI特性。
以上是LP3669電源芯片的基本工作電路圖和工作原理的概述。具體的電路設計和應用需要根據實(shí)際的應用需求和設計要求來(lái)確定。