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在現代開(kāi)關(guān)電源設計中，同步整流技術(shù)因其高效率和低損耗而被廣泛應用。LP20R100C是一款高性能的高壓合封同步整流芯片，適用于多種開(kāi)關(guān)電源控制系統，能夠顯著(zhù)提高電源的轉換效率。本文將詳細介紹LP20R100C的規格參數及其內部框架結構，幫助設計工程師更好地理解和應用該芯片。
輸入電壓：LP20R100C支持高達100V的輸入電壓，適用于多種高壓開(kāi)關(guān)電源應用。
電源電壓（VCC）：工作電壓范圍為-0.3V至8V，確保在不同電源條件下穩定工作。
導通阻抗（RDS_ON）：在VGS=6.5V和IDS=0.1A的條件下，導通阻抗為17-20mΩ，低導通阻抗有助于減少功率損耗。
連續電流（ID）：在25℃環(huán)境下，連續電流為40A，能夠承受較高的負載電流。
脈沖電流（ID,pulse）：在25℃環(huán)境下，脈沖電流為140A，適用于瞬時(shí)高電流需求的應用場(chǎng)景。
開(kāi)通電壓閾值（VON）：-0.25V至-0.15V，確保同步整流管在適當的電壓下開(kāi)通。
關(guān)斷閾值（VOFF）：-8mV至-2mV，準確判斷同步整流管的關(guān)斷時(shí)機。
關(guān)斷延遲時(shí)間（Td）：25ns至33ns，快速關(guān)斷有助于提高系統效率。
VCC欠壓保護：當VCC電壓下降到3.8V至4.2V時(shí)，芯片進(jìn)入欠壓保護狀態(tài)，防止因電源不穩定導致的損壞。
過(guò)壓鉗位：VCC鉗位電壓為6.3V至6.7V，保護芯片不受過(guò)壓損害。
封裝形式
LP20R100C采用TO220-3L封裝，具有良好的散熱性能和機械強度，適合高功率應用。
LP20R100C的內部框架圖展示了其復雜的電路結構和功能模塊，主要包括以下幾個(gè)部分：
VCC供電：芯片內部集成了VCC供電技術(shù)，能夠在不需要輔助繞組供電的情況下，保證VCC電壓穩定.當系統上電后，通過(guò)內置MOS的體二極管對輸出電容充電，當VCC電壓達到開(kāi)啟閾值時(shí)，芯片內部控制電路開(kāi)始工作。
開(kāi)通控制：采用專(zhuān)利的整流管開(kāi)通技術(shù)，通過(guò)檢測漏極電壓（D腳）與地（GND）之間的下降電壓閾值和下降速率，準確判斷同步整流管的開(kāi)通時(shí)機.開(kāi)通條件包括同步最小關(guān)斷時(shí)間（TSR）大于2us，開(kāi)通檢測斜率（dVds/dt）大于設定值，且Vds小于-0.2V。
關(guān)斷控制：為了避免因激磁振蕩導致的誤關(guān)斷，LPSR100通過(guò)整流管關(guān)斷閾值準確判斷關(guān)斷時(shí)機.在比較器屏蔽時(shí)間（Tb）內不進(jìn)行關(guān)斷動(dòng)作，當Ton大于Tb且Vds電壓大于-5mV時(shí)，關(guān)斷同步整流管。
欠壓保護：當VCC電壓低于欠壓保護閾值時(shí)，芯片進(jìn)入保護狀態(tài)，防止因電源不穩定導致的損壞。
過(guò)壓保護：通過(guò)VCC鉗位電路，將VCC電壓限制在安全范圍內，防止過(guò)壓損害芯片。
內置100V耐壓功率管，能夠在高電壓條件下穩定工作，提供高電流輸出。
LP20R100C廣泛應用于充電器、適配器、正激控制器和反激控制器等開(kāi)關(guān)電源控制系統中，具有以下優(yōu)勢：
高效率：同步整流技術(shù)顯著(zhù)提高了電源的轉換效率，降低了能量損耗。
低損耗：低導通阻抗和快速開(kāi)關(guān)特性減少了功率損耗，提高了系統的整體性能。
高可靠性：多重保護功能確保芯片在各種工作條件下的穩定性和可靠性。
簡(jiǎn)單設計：集成度高，外圍元器件少，簡(jiǎn)化了電路設計，降低了設計復雜度和成本。
通過(guò)深入理解LP20R100C的規格參數和內部框架結構，設計工程師可以更好地將其應用于開(kāi)關(guān)電源設計中，提高產(chǎn)品的性能和可靠性。