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LP35116-7是什么芯片?高性能副邊同步整流芯片應用與技術(shù)解析
類(lèi)別:產(chǎn)品新聞 發(fā)布時(shí)間:2025-04-28 10:07:54 瀏覽人數:14756

在現代電源管理領(lǐng)域,隨著(zhù)對能效和性能要求的不斷提高,同步整流技術(shù)逐漸成為提升電源轉換效率的關(guān)鍵手段之一。LP35116-7 作為一款高性能副邊同步整流驅動(dòng)芯片,憑借其卓越的技術(shù)特性和廣泛的應用場(chǎng)景,正在為各類(lèi)電源系統帶來(lái)顯著(zhù)的性能提升和效率優(yōu)化。

芯片概述


LP35116-7 是由芯茂微推出的一款專(zhuān)為 AC-DC 同步整流應用設計的高性能芯片。它適用于正激和反激系統,并支持不連續導通模式(DCM)和連續導通模式(CCM)等多種工作模式。這款芯片以其高耐壓、高效率和靈活的配置能力,成為眾多電源設計工程師的首選方案。


內部框架圖如下所示



技術(shù)規格


(一)高耐壓與多模式支持


LP35116-7 的核心優(yōu)勢之一在于其高達 200V 的耐壓能力,這使得它能夠在各種復雜的電源環(huán)境中穩定工作,無(wú)需額外的保護電路。同時(shí),它支持 DCM 和 CCM 模式,能夠根據不同的應用場(chǎng)景靈活切換,滿(mǎn)足從低功率到高功率的各種電源需求。

(二)專(zhuān)利技術(shù)與優(yōu)化設計


該芯片采用了多項專(zhuān)利技術(shù),包括整流管開(kāi)通技術(shù)、周期追蹤技術(shù)和死區時(shí)間外置可編程技術(shù)。通過(guò)這些技術(shù),LP35116-7 能夠有效避免因激磁振蕩引起的誤動(dòng)作,減少關(guān)斷延遲,從而顯著(zhù)提高電源轉換效率。此外,其多樣化的 VCC 供電技術(shù)確保了在多種輸出電壓條件下,芯片的穩定供電,進(jìn)一步提升了系統的可靠性和適應性。



(三)電氣參數與性能指標


在電氣參數方面,LP35116-7 表現卓越。其 VCC 工作電壓范圍為 5.8V 至 6.4V,啟動(dòng)電壓為 4.3V 至 4.7V,欠壓保護閾值為 3.8V 至 4.2V。整流管的開(kāi)通電壓閾值為 -0.25V 至 -0.15V,關(guān)斷閾值為 -8mV 至 -2mV。驅動(dòng)能力方面,其驅動(dòng)電壓最大值為 6V,驅動(dòng)腳出電流典型值為 1.5A,入電流典型值為 4A,上升時(shí)間為 25ns,下降時(shí)間為 10ns。這些參數確保了芯片在高效率和快速響應之間的良好平衡。

典型應用圖



(一)反激系統


在反激電源設計中,LP35116-7 的應用非常廣泛。它可以通過(guò) D 腳直接從輸出端獲取 VCC 供電,簡(jiǎn)化了電路設計。在輸出電壓高于 6.5V 的情況下,通過(guò)在 VOUT 與輸出電容正端之間串接 500Ω 至 1KΩ 的電阻,可以進(jìn)一步增強 VCC 供電能力,提高系統效率。此外,通過(guò)外接電阻到 T 腳,還可以靈活設置死區時(shí)間,優(yōu)化同步整流的性能。

(二)正激系統


對于正激電源,LP35116-7 同樣表現出色。它能夠通過(guò) D 腳或輔助繞組為 VCC 提供電源,確保在高頻和高功率條件下穩定工作。其專(zhuān)利的周期追蹤技術(shù)可以精確預判原邊 PWM 信號的開(kāi)通時(shí)刻,確保同步整流管在原邊信號開(kāi)通前安全關(guān)斷,避免交越失真。

(三)充電器與適配器


在充電器和適配器領(lǐng)域,LP35116-7 的高效率和靈活配置能力使其成為理想選擇。它能夠支持多種輸出電壓和功率范圍,同時(shí)通過(guò)優(yōu)化的同步整流控制,顯著(zhù)降低功耗,提高充電效率。這對于滿(mǎn)足現代電子設備對快速充電和高效能的需求至關(guān)重要。

總結


LP35116-7 作為一款高性能副邊同步整流驅動(dòng)芯片,憑借其高耐壓、多模式支持、專(zhuān)利技術(shù)和優(yōu)化設計,在反激、正激電源以及充電器和適配器等應用中展現出卓越的性能。它不僅提高了電源轉換效率,還簡(jiǎn)化了電路設計,增強了系統的可靠性和適應性。隨著(zhù)對電源效率和性能要求的不斷提高,LP35116-7 必將成為未來(lái)電源設計中的重要選擇之一。

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