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在電子設備日益普及的今天，小功率電源適配器和充電器的需求持續攀升。為了滿(mǎn)足這一市場(chǎng)需求，聚元公司推出了PL3326C系列芯片，這是一系列專(zhuān)為小于15W的AC/DC反激式開(kāi)關(guān)電源設計的高效率、高集成度、原邊調節PWM功率開(kāi)關(guān)芯片。該系列芯片憑借其卓越的性能和豐富的功能，為小功率電源設計提供了一種高效、簡(jiǎn)潔且可靠的解決方案。
PL3326C系列芯片是聚元公司精心研發(fā)的高性能離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)電源芯片。它通過(guò)創(chuàng )新的原邊控制技術(shù)，摒棄了傳統設計中所需的光耦和次級控制電路，極大地簡(jiǎn)化了充電器、適配器等產(chǎn)品的恒流/恒壓設計流程，同時(shí)實(shí)現了高精度的電壓和電流調節。這種設計不僅提高了系統的可靠性，還顯著(zhù)降低了外部PCB的面積和系統成本。PL3326C系列芯片采用了復合模式控制，能夠在不同工作狀態(tài)下自動(dòng)切換PWM和PFM模式，從而實(shí)現低靜態(tài)功耗、低音頻噪音和高效率的完美平衡。
PL3326C系列芯片提供了多種封裝形式，以滿(mǎn)足不同應用場(chǎng)景的需求。具體型號如下：
封裝形式：SOP7
特點(diǎn)：該型號采用緊湊的SOP7封裝，體積小巧，適合對空間要求較高的應用場(chǎng)合。其引腳布局合理，便于在小型PCB上進(jìn)行布局和焊接，能夠有效節省電路板空間，提高產(chǎn)品的集成度。
封裝形式：DIP7
特點(diǎn)：PL3326CD采用經(jīng)典的DIP7封裝，這種封裝形式具有良好的散熱性能和易于手工焊接的特點(diǎn)。它適合于對散熱有一定要求或需要進(jìn)行手工調試和維修的應用場(chǎng)景，例如一些小型實(shí)驗室設備或手工組裝的電子產(chǎn)品。DIP7封裝的引腳間距較大，方便操作，能夠確保焊接的可靠性。
封裝形式：SOP8
特點(diǎn)：PL3326CE采用SOP8封裝，相比SOP7封裝，它提供了更多的引腳，能夠實(shí)現更復雜的功能擴展。這種封裝形式適合于需要額外功能或與其他電路進(jìn)行更緊密集成的應用。例如，在一些多功能電源適配器或具有特殊通信功能的充電器中，PL3326CE能夠更好地滿(mǎn)足設計需求。
封裝形式：SOP8
特點(diǎn)：PL3326CF同樣采用SOP8封裝，與PL3326CE在封裝形式上相同，但在某些電氣參數或內部功能上可能存在細微差異。這種差異使得PL3326CF能夠針對特定的應用場(chǎng)景進(jìn)行優(yōu)化，例如在某些對動(dòng)態(tài)響應速度要求較高的應用中，PL3326CF可能經(jīng)過(guò)特殊設計以滿(mǎn)足快速響應的需求。用戶(hù)在選擇時(shí)可以根據具體的應用要求和設計指標來(lái)確定最適合的型號。
PL3326C系列芯片在電氣特性方面表現出色，以下是其主要參數：
啟動(dòng)電流：在VDD=16V時(shí)，啟動(dòng)電流為5-20uA。低啟動(dòng)電流使得芯片可以采用較大的啟動(dòng)電阻和較小的VDD電容，從而降低應用中的功率損耗。
工作電流：在FB=2V、CS=0V、VDD=20V的條件下，工作電流為1-1.5mA。小工作電流有助于提高系統的效率，尤其是在輕載條件下。
欠壓保護閾值：VDD下降時(shí)的欠壓保護閾值為6-7V，VDD上升時(shí)的欠壓保護閾值為15-17V。內部設置了閾值遲滯，以防止VDD上升過(guò)程中抖動(dòng)對芯片的影響。
過(guò)壓保護閾值：VDD過(guò)壓保護閾值為27V，當VDD電壓超過(guò)此值時(shí)，芯片將采取保護措施，防止損壞。
導通LEB時(shí)間：為300ns，確保電流檢測的準確性。
過(guò)流閾值：為500mV，當檢測到的電流超過(guò)此值時(shí)，芯片將觸發(fā)過(guò)流保護功能，防止電流過(guò)大損壞電路。
EA的基準電壓：為2.465-2.535V，確保恒流/恒壓控制的精度。
最小關(guān)斷時(shí)間：為2us，保證開(kāi)關(guān)頻率的穩定性。
最小頻率：為550Hz，最大頻率為120kHz，根據系統負載狀態(tài)和工作模式自動(dòng)調整。
最大輸出線(xiàn)補償電流：為48uA，通過(guò)調節FB端的分壓電阻可實(shí)現不同的線(xiàn)補償量，提高負載調節率。
進(jìn)入過(guò)溫保護：當芯片溫度達到150℃時(shí)，將進(jìn)入過(guò)溫保護狀態(tài)，防止芯片因過(guò)熱而損壞。
漏源擊穿電壓：為650V，確保在高電壓應用中的可靠性。
導通電阻：在Id=1.5A、VGS=10V時(shí)，導通電阻為2.7Ω，低導通電阻有助于降低功率損耗，提高效率。
PL3326C系列芯片的應用電路設計相對簡(jiǎn)單，以下是一個(gè)典型的手機充電器應用電路示例：
輸入電路：將市電整流濾波后得到高壓直流電，作為芯片的輸入電源。
控制電路：PL3326C芯片通過(guò)其管腳與外部元件相連，實(shí)現恒流/恒壓控制、電流檢測、保護等功能。
變壓器：將輸入的高壓直流電轉換為低壓交流電，再通過(guò)次級整流濾波得到所需的輸出電壓和電流。
輸出電路：連接被充電設備，為設備提供穩定的電源。
啟動(dòng)階段：當市電接入后，輸入電路將市電整流濾波得到高壓直流電，為芯片的VDD腳提供電源。由于芯片的啟動(dòng)電流較低，可以采用較大的啟動(dòng)電阻和較小的VDD電容，從而降低啟動(dòng)過(guò)程中的功率損耗。
恒流/恒壓控制階段：芯片通過(guò)FB腳檢測輔助繞組的電壓，進(jìn)而間接采樣輸出電壓。在恒壓工作模式下，內部誤差放大器對采樣電壓進(jìn)行調節，使輸出電壓保持恒定。在恒流工作模式下，芯片通過(guò)CS腳檢測原邊電感電流，保持輸出電流恒定。當負載變化時(shí)，芯片能夠自動(dòng)調整開(kāi)關(guān)頻率和占空比，確保輸出電壓和電流的穩定性。
保護階段：當系統出現異常情況，如過(guò)流、欠壓、過(guò)壓等，芯片內部的保護電路將迅速響應并采取相應的保護措施。例如，當檢測到過(guò)流時(shí)，芯片將立即關(guān)閉功率MOSFET，切斷電源輸出，防止損壞電路。
對于電源設計工程師而言，PL3326C系列芯片無(wú)疑是一個(gè)值得深入研究和應用的高性能選擇，它將助力于推動(dòng)小功率電源技術(shù)的發(fā)展，滿(mǎn)足市場(chǎng)對高效、節能、小型化電源產(chǎn)品的需求。