在現代電子設計中，高效能、低功耗的電源管理芯片是實(shí)現各類(lèi)電子設備穩定運行的關(guān)鍵。BP2522D作為一款超低待機功耗非隔離降壓型恒壓驅動(dòng)芯片，憑借其卓越的性能和廣泛的應用場(chǎng)景，成為了眾多設計工程師的首選。本文將深入解析BP2522D芯片的基本原理與設計注意事項，旨在為相關(guān)領(lǐng)域的工程師提供詳盡的參考。

BP2522D芯片概述

BP2522D芯片專(zhuān)為輔助電源及其他應用設計。其核心優(yōu)勢在于超低待機功耗，小于20mW，適用于120Vac和230Vac的輸入電壓范圍。該芯片支持固定12V或24V的輸出電壓，具備優(yōu)異的動(dòng)態(tài)響應能力，能夠有效減少音頻噪聲，并通過(guò)降幅調制技術(shù)與抖頻技術(shù)改善電磁干擾（EMI）。此外，BP2522D還具備±5%的輸出電壓精度、內置軟啟動(dòng)功能以及全面的保護機制，包括過(guò)載保護、短路保護、過(guò)溫保護和逐周期限流。內部框架圖如下所示~

BP2522D基本原理

（一）工作原理

BP2522D內部集成了高壓?jiǎn)?dòng)和供電電路。系統上電后，母線(xiàn)電壓通過(guò)Drain引腳對Vcc電容充電，當Vcc電壓達到芯片開(kāi)啟閾值時(shí)，內部控制電路開(kāi)始工作。正常工作時(shí)，由Vout供電接入Vcc端，實(shí)現超低待機功耗，無(wú)需輔助繞組供電。

（二）恒壓原理

在功率管關(guān)斷階段，BP2522D采集Vcc電壓，通過(guò)調節內部誤差放大器（EA）保持較高的輸出電壓精度。同時(shí)，Vcc電壓可用于監測輸出過(guò)載、過(guò)壓和短路情況，提供相應的保護。

（三）過(guò)溫保護

芯片內置過(guò)溫保護模塊，確保系統始終處于安全可靠的工作狀態(tài)。當芯片溫度超過(guò)設定閾值時(shí)，過(guò)溫保護機制將觸發(fā)，防止芯片因過(guò)熱而損壞。

（四）抖頻電路

BP2522D內部的抖頻電路能夠分散諧波干擾能量，提高系統的EMI性能，使其更容易通過(guò)傳導和輻射測試。這種設計有助于降低電磁干擾，滿(mǎn)足嚴格的電磁兼容性要求。

（五）軟啟動(dòng)

BP2522D具備軟啟動(dòng)功能，通過(guò)分段增加峰值電流來(lái)減小開(kāi)關(guān)應力，避免輸出電壓過(guò)沖現象。軟啟動(dòng)分為三個(gè)階段：第一階段Ipk1=0.4Ilimit，第二階段Ipk2=0.7Ilimit，第三階段Ipk3等于設置的Ilimit。在重載下啟動(dòng)時(shí)，系統會(huì )觸發(fā)降頻模式，工作頻率降為滿(mǎn)載的1/4。

（六）控制模式

BP2522D根據負載情況自動(dòng)切換工作模式?？蛰d或極輕載時(shí)，系統工作于脈沖頻率調制（PFM）模式，保持峰值電流不變，開(kāi)關(guān)頻率隨機變化。輕載到滿(mǎn)載階段，系統切換至脈沖寬度調制（PWM）模式，隨著(zhù)負載電流增大，峰值電流持續增大，開(kāi)關(guān)頻率保持60KHz不變。BP2522D的最大工作頻率為60KHz，最大峰值電流可根據需求設置。

BP2522D設計注意事項

（一）電感選擇

BP2522D可工作于連續導通模式（CCM）、不連續導通模式（DCM）等多種模式。電感選擇需綜合考慮感量、峰值電流和平均電流。小感量電感能減小尺寸、降低成本并改善動(dòng)態(tài)響應，但會(huì )增大峰值電流和輸出紋波，降低系統效率。大感量電感可提高效率，但尺寸較大，動(dòng)態(tài)響應較慢。實(shí)際應用中，需綜合考慮動(dòng)態(tài)響應、電感尺寸、效率、實(shí)際帶載電流和芯片溫升等因素，選擇合適的電感。電感計算公式為：

其中，Vin為最高輸入BUS電容電壓，f為滿(mǎn)載時(shí)的工作頻率，ΔIL為電感電流紋波，r為紋波系數。當r=2時(shí)，系統工作在邊界導通模式（BCM）；當負載電流大于150mA時(shí)，為避免芯片溫升過(guò)高，建議讓系統工作在BCM或DCM模式，紋波系數取2。以12V應用為例，工作電流為240mA時(shí)，計算得電感量為447uH。此外，電感量還需滿(mǎn)足輕載導通時(shí)間限制，避免輕載時(shí)能量過(guò)高導致輸出電壓偏高。

（二）Rcs電阻選擇

Rcs電阻的選擇需綜合考慮負載電流和電感電流紋波，并留有余量。由于內部比較器延遲，實(shí)際CS_TH略高于芯片內部200mV基準電壓。CS電阻計算公式為：

以BP2522D為例，持續輸出240mA，脈沖350mA，電感量為470uH，電感電流紋波為57mA。最大峰值電流為579mA，BP2522D內部MOS管限制最大電流為750mA，留有一定余量，可取Rcs=0.3ohm。

（三）假負載選擇

其中，Rdummy為假負載電阻，L為電感感量，I為空載時(shí)Ipeak電流，F為空載時(shí)工作頻率。以265Vac母線(xiàn)電壓為例，F≈700Hz。計算得Rdummy≤23.6Kohm。實(shí)際應用中，12V推薦使用22Kohm，24V推薦使用91Kohm。

（四）輸出電容選擇

輸出電容的選擇對輸出電壓紋波、系統動(dòng)態(tài)響應、環(huán)路穩定性、輸出電壓過(guò)沖等有直接影響。在恒定輸出電流的CV模式下，輸出紋波主要由輸出電容的等效串聯(lián)電阻（ESR）和容量決定。紋波計算公式為：

（五）二極管選擇

Vout電壓與續流二極管的正向壓降（Vf）和供電二極管的Vf有關(guān)，尤其是重載下，續流二極管上的壓降損失較多會(huì )導致調整率變差。續流二極管推薦選用GPP工藝、42mil、ES1J超快恢復二極管；Vcc二極管推薦選用M7或A7。

（六）Layout設計

1. VCC電容應盡量靠近芯片的VCC引腳，以減少寄生電感和電阻，確保穩定的電源供應。
2. 輸出回路（電感、輸出電容、續流二極管）的環(huán)路面積應盡量小，以降低寄生電感和電阻，減少電磁干擾。
3. SEL腳不應懸空，以防止外界干擾。
4. 若續流電感為工字電感，其磁場(chǎng)是開(kāi)放的，易對周邊低磁阻器件（如EMI濾波電感、芯片及其周邊銅箔）造成影響，產(chǎn)生額外損耗和干擾。因此，應用中相對敏感的器件應遠離工字電感。

（七）EMI設計

1. 輸入端采用π型濾波器（C+L+C），其中C的大小根據輸出功率確定，L一般選用1mH的色環(huán)電感。
2. 若續流電感采用工字型，前級濾波色環(huán)電感易受影響，因此兩個(gè)電感應相距較遠。
3. 為取得更好的傳導效果，可在輸入端增加一個(gè)X電容，對EMI低頻段有明顯抑制效果。對于輸出功率較小且PCB布局中輸入與輸出部分相距較遠的情況，可取消X電容。
4. 為抑制CDN低頻端的差模干擾，可在Drain與GND之間并聯(lián)一個(gè)10pF/500V陶瓷電容，可有效改善EMI性能。

應用參考

（一）12V/240mA應用

• 輸入電壓范圍：Vac=90~265V/50Hz。
• 電感選擇：470uH（如EE10型號）。
• Rcs電阻：0.4ohm。
• Vcc二極管：M7或A7。
• 續流二極管：ES1J。
• 輸出電容：100uF/16V。

（二）24V/220mA應用

• 輸入電壓范圍：Vac=90~265V/50Hz。
• 電感選擇：1mH（如EE10型號）。
• Rcs電阻：0.4ohm。
• Vcc二極管：M7或A7。
• 續流二極管：ES1J。
• 輸出電容：100uF/35V。

性能測試與評估

（一）待機功耗測試

在不同輸入電壓（90Vac、110Vac、120Vac、132Vac、176Vac、230Vac、265Vac）下，BP2522D的待機功耗測試結果如下：

（二）滿(mǎn)載效率測試

在不同輸入電壓（90Vac、110Vac、120Vac、132Vac、176Vac、230Vac、265Vac）下，BP2522D的滿(mǎn)載效率測試結果如下：

（三）負載調整率與線(xiàn)性調整率測試

在不同輸入電壓（90Vac、110Vac、120Vac、132Vac、176Vac、230Vac、265Vac）和不同負載電流（0mA、10mA、15mA、30mA、50mA、100mA、200mA、250mA）下，BP2522D的負載調整率和線(xiàn)性調整率測試結果如下：

總結