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在電池保護、負載開(kāi)關(guān)、DC-DC 同步整流等 20-30 V 應用場(chǎng)景里，SOT-23 封裝、30 V 耐壓的 N 溝道 MOSFET 幾乎是“通用貨幣”。HN3400、HN3400B、HN3400C 出自同一家族，卻各自有微小而關(guān)鍵的差異。本文把它們一次性拆開(kāi)講透：參數、圖表、實(shí)測差異、選型陷阱、Layout 注意點(diǎn)，全部給出來(lái)。
| 共性指標 | 值 | 備注 |
|---|---|---|
| 封裝 | SOT-23 | 兼容性強，JEDEC 標準腳位 |
| 耐壓 V<sub> | 30 V | 電池包 2-6S、12 V/24 V 總線(xiàn)通用 |
| 柵極耐壓 V<sub> | ±12 V（HN3400C ±20 V） | 驅動(dòng)裕量足夠 |
| 工作溫度 | –55 °C ~ 150 °C | 車(chē)規/工規通用 |
| 環(huán)保 | 無(wú)鉛 | 出口無(wú)憂(yōu) |
| 指標 | HN3400 | HN3400B | HN3400C |
|---|---|---|---|
| 最大連續 I<sub> | 5.8 A | 5.8 A | 4.5 A |
| 脈沖 I<sub> | 30 A | 30 A | 15 A |
| P<sub> @25 °C | 1.4 W | 1.4 W | 1.7 W |
| R<sub> | 89 °C/W | 89 °C/W | 73.5 °C/W |
| R<sub> 典型值 | |||
| @ V<sub>=2.5 V | 35 mΩ | 45 mΩ | — |
| @ V<sub>=4.5 V | 27 mΩ | 31 mΩ | 34 mΩ |
| @ V<sub>=10 V | 23 mΩ | 28 mΩ | 30 mΩ |
| 總柵極電荷 Q<sub> | 10 nC | 9.5 nC | 4 nC |
| 輸入電容 C<sub> | 825 pF | 820 pF | 230 pF |
| 反向傳輸電容 C<sub> | 78 pF | 77 pF | 17 pF |
| 體二極管 I<sub> | 5.8 A | 5.8 A | 2.7 A |
一句話(huà)總結：
HN3400：低壓驅動(dòng)最友好（2.5 V 即可 35 mΩ），適合單節鋰電池保護。
HN3400B：HN3400 的“降本”版本，R<sub> 略高 20 %，價(jià)格通常低 10-15 %。
HN3400C：小電流、高速度、低電荷，適合做高頻 PWM 或負載開(kāi)關(guān)，散熱更好（R<sub> 僅 73.5 °C/W）。
2.5 V 驅動(dòng)場(chǎng)景（單節鋰電保護板）
只有 HN3400 給出 35 mΩ 保證；HN3400B 跳到 45 mΩ，損耗瞬間+30 %；HN3400C 干脆沒(méi)數據 → 不建議 2.5 V 驅動(dòng)。
4.5 V 驅動(dòng)場(chǎng)景（MCU GPIO 直接推）
三顆差距縮小到 27/31/34 mΩ，但 HN3400 仍領(lǐng)先。
10 ms 單脈沖 @ V<sub>=20 V
HN3400/HN3400B 可達 3 A；HN3400C 僅 1.8 A。
100 μs 脈沖
三顆都能沖到 10 A 以上，但 HN3400C 受限于 15 A I<sub>，必須驗算結溫。
HN3400C 雖然 P<sub> 標 1.7 W，但 R<sub> 更低，意味著(zhù)：在同樣 1 W 損耗時(shí)，結溫更低，可靠性反而更高。
實(shí)測：在 25 mm2 銅箔、1 oz 條件下，三顆溫升對比：
1 A 連續：HN3400 ≈ 45 °C，HN3400C ≈ 38 °C。
| 場(chǎng)景 | 推薦型號 | 理由 | 注意 |
|---|---|---|---|
| 單節鋰電保護板（MOSFET 背靠背） | HN3400 | 2.5 V 即可低 R<sub>，減少壓降和發(fā)熱 | 雙管并聯(lián)時(shí)均流走線(xiàn)對稱(chēng) |
| 12 V 輸入、5 V/3 A 降壓 Buck（高邊開(kāi)關(guān)） | HN3400C | Q<sub> 僅 4 nC，驅動(dòng)損耗低；R<sub> 小，適合 500 kHz 以上 | 高邊驅動(dòng)需自舉電路，V<sub>≥4.5 V |
| 24 V 總線(xiàn)、負載開(kāi)關(guān)（低頻通斷） | HN3400B | 成本最低，開(kāi)關(guān)頻率低，不敏感于 Q<sub> |
銅箔面積 ≥ 300 mm2（1 oz）
實(shí)測可把 R<sub> 從 89 °C/W 降到 65 °C/W。
Kelvin Source 引腳
驅動(dòng)回路（Gate-Source）與功率回路（Drain-Source）分開(kāi)走線(xiàn)，防止源極寄生電感抬高柵極電壓。
并聯(lián)柵極電阻
高頻應用給每顆 MOSFET 串 2-5 Ω，抑制振鈴；低速開(kāi)關(guān)可省。
價(jià)格梯度（2024Q3，1k 批量）：
HN3400 ≈ 0.045 USD → HN3400B ≈ 0.038 USD → HN3400C ≈ 0.042 USD。
交期：深圳三佛科技均有現貨庫存~,批量?jì)r(jià)格有優(yōu)勢
替代料：CJ3400、AO3400、SI2302 電氣相近，但封裝腳位/熱阻略有差異，替換前務(wù)必重新跑熱仿真。
要低壓驅動(dòng)、低損耗 → 選 HN3400；
要高頻率、小體積、低驅動(dòng)損耗 → 選 HN3400C；
純粹成本導向，頻率低、電流小 → 選 HN3400B。
把參數表背下來(lái)不如把本文收藏：下次遇到 30 V SOT-23 MOSFET 選型，直接對照場(chǎng)景，三分鐘就能拍板。