OB2268/OB2269CP采用獨特的設計方案，使您的電源系統具有較高的性?xún)r(jià)比，滿(mǎn)足廣大客戶(hù)的需求。OB2268/OB2269采用傳統的電流模式結構設計，其具有如下特性:

低待機功耗: OB2268/OB2269 通過(guò)特別的低功耗間歇工作模式設計不僅可以讓整個(gè)系統在空載的狀態(tài)下輕易達到國際能源機構最新的推薦標準，而且允許系統在較輕負載(約1/30 滿(mǎn)載以下)的情況下同樣具有超低耗的性能。

無(wú)噪聲工作:使用OB2268/OB2269CP設計的電源無(wú)論在空載，輕載和滿(mǎn)載的情況下都不會(huì )產(chǎn)生音頻噪聲。優(yōu)化的系統設計可以使系統任何工作狀態(tài)下均可安靜地工作。

更低啟動(dòng)電流: OB2268/OB2269CP  VIN/VDD啟動(dòng)電流低至4uA,可有效地減少系統啟動(dòng)電路的損耗，縮短系統的啟動(dòng)時(shí)間。

更低工作電流: OB2268/OB2269的工作電流約為2.3mA,可有效降低系統的損耗，提高系統的效率。

內置前沿消隱: 內置前沿消隱(LEB)，可以為系統節省了一個(gè)外部的R-C網(wǎng)絡(luò )，降低系統成本。

內置OCP補償: OB2268/OB2269CP內置了OCP補償功能，使系統在不需要增加成本的情況下輕易使得全電壓范圍內系統的OCP曲線(xiàn)趨向平坦,提高系統的性?xún)r(jià)比。 完善的保護功能: 0B2268/OB2269 集成了較完善的保護功能模塊。OVP, UVLO,OCP，恒定的OPP和外部可調節的OTP功能可以使系統設計簡(jiǎn)潔可靠，同時(shí)滿(mǎn)足安規的要求。

MOSFET軟驅動(dòng):可有效的改善系統的EMI。

較少的外圍器件: OB2268/OB2269CP 外圍比較簡(jiǎn)單，可有效提高系統的功率密度,降低系統的成本。

OB2269CP優(yōu)良的EMI特性:OB2269內置的頻率抖動(dòng)設計可以很有效的改善系統的EMI特性，同時(shí)可以降低系統的EMI成本。