在電源設計領(lǐng)域，非隔離電源轉換器因其成本效益和簡(jiǎn)化的設計而受到青睞。BP85256D是一款高性能、高集成度的開(kāi)關(guān)電源驅動(dòng)芯片，專(zhuān)為全電壓85~265VAC輸入的Buck、Buck-Boost變換器拓撲應用設計。本文將詳細介紹基于BP85256D的非隔離參考設計，輸出規格為12V/300mA。

BP85256D芯片概述

BP85256D芯片內部集成了650V高壓MOSFET、高壓?jiǎn)?dòng)和自供電電路、電流采樣電路、電壓反饋電路以及續流二極管。這款芯片采用先進(jìn)的控制技術(shù)，無(wú)需外部VCC電容和環(huán)路補償即可實(shí)現優(yōu)異的恒壓輸出特性，有助于減少外圍器件數量，節省系統成本和體積，同時(shí)提高可靠性。

12V/300mA電源規格

BP85256D在12V/300mA的應用中表現出色，能夠提供穩定可靠的電源輸出。這款芯片的低待機功耗（50mW@230Vac）和優(yōu)異的動(dòng)態(tài)響應速度，使其成為小家電輔助電源、電機驅動(dòng)輔助電源以及IOT/智能家居/智能照明等應用的理想選擇。

電路設計原理

BP85256D的電路設計通常包括以下幾個(gè)關(guān)鍵部分：

    輸入電路：包括保險電阻、防雷壓敏電阻、整流橋堆、EMI濾波電容以及濾波電感。
    功率處理級：由BP85256D芯片、續流二極管、輸出電感及輸出電容構成。
    保護電路：內置過(guò)熱保護（OTP）、VCC欠壓閉鎖（UVLO）、過(guò)載保護（OLP）、短路保護（SCP）等。

電路圖示例

一個(gè)典型的BP85256D應用電路圖可能包括以下元件：

    VOUT：輸出電壓端，芯片內部反饋二極管陽(yáng)極。
    GND：輸出電壓參考地，內部續流二極管陽(yáng)極。
    NC：無(wú)連接。
    DRAIN：芯片內部高壓MOSFET漏極，提供自供電電流。
    IC-GND：芯片地，內部MOSFET源極。
    FB：電壓采樣端，內部反饋二極管陰極，外部無(wú)需連接。

設計注意事項

在設計基于BP85256D的電源時(shí)，應注意以下幾點(diǎn)：

    確保輸入電壓范圍在85~265VAC之間。
    選擇合適的電感和電容，以滿(mǎn)足12V/300mA的輸出要求。
    考慮EMI和安全規范，確保電路符合相關(guān)標準。
    利用芯片的保護功能，提高電源的可靠性。

結論

BP85256D提供了一種高效、可靠的非隔離電源解決方案，特別適合12V/300mA的應用。通過(guò)精心設計的電路，可以確保電源的穩定性和效率，滿(mǎn)足各種電子設備的需求。無(wú)論是小家電還是智能家居設備，BP85256D都能提供所需的電源支持。