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LP3610S高性能開(kāi)關(guān)電源同步整流芯片(LP3610S應用信息詳細解析)
類(lèi)別:產(chǎn)品新聞 發(fā)布時(shí)間:2025-06-05 10:04:29 瀏覽人數:17063

在當今電子設備日益復雜且對電源效率要求極高的背景下,開(kāi)關(guān)電源同步整流芯片成為了提升電源性能的關(guān)鍵元件之一。LP3610S作為芯茂微精心研發(fā)的一款高性能開(kāi)關(guān)電源同步整流芯片,憑借其卓越的性能和廣泛的應用兼容性,正在成為眾多電源設計工程師的首選。

芯片概述


LP3610S 是一款專(zhuān)為開(kāi)關(guān)電源設計的高性能同步整流芯片,它內置了耐壓高達 45V 的功率管,能夠兼容 DCM(不連續導通模式)和 CCM(連續導通模式)等多種工作模式。這款芯片采用了專(zhuān)利的整流管開(kāi)通技術(shù),有效避免了因激磁振蕩引起的誤開(kāi)通現象,從而顯著(zhù)提高了電源系統的穩定性和可靠性。同時(shí),LP3610S 還集成了 VCC 供電技術(shù),確保芯片在各種工作狀態(tài)下都能獲得穩定的供電,進(jìn)一步增強了系統的穩定性。LP3610S內部框架圖如下所示~



芯片特點(diǎn)


開(kāi)關(guān)電源同步整流應用
內置 45V 耐壓功率管
兼容 DCM 和 CCM 多種工作模式
專(zhuān)利的整流管開(kāi)通技術(shù)
集成 VCC 供電技術(shù)
芯片供電欠壓保護
芯片過(guò)壓鉗位
外圍元器件少

典型應用電路圖



LP3610S 廣泛應用于充電器和適配器的同步整流、反激式控制器以及其他開(kāi)關(guān)電源控制系統中。其 SOP8L 的封裝形式和較少的外圍元器件需求,使得它在緊湊型設計中具有顯著(zhù)的優(yōu)勢。

電氣參數


LP3610S 的電氣參數經(jīng)過(guò)精心設計,以滿(mǎn)足各種復雜的工作條件。例如,其 VCC 工作電壓范圍為 5.1V 至 5.6V,啟動(dòng)電壓為 3.3V 至 3.7V,欠壓保護閾值為 3.0V 至 3.5V。這些參數確保了芯片在不同的輸入電壓條件下都能穩定工作。此外,整流管的開(kāi)通電壓閾值為 -0.25V 至 -0.15V,關(guān)斷閾值為 -8mV 至 -2mV,這些精確的閾值設置使得同步整流的控制更加精準。



工作原理


啟動(dòng)過(guò)程


當系統上電后,LP3610S 通過(guò)內置 MOS 的體二極管對輸出電容充電,輸出電壓逐漸上升。隨著(zhù)輸出電壓的上升,芯片內部的供電電路開(kāi)始工作,為 VCC 電容充電。當 VCC 的電壓達到開(kāi)啟閾值時(shí),芯片內部控制電路開(kāi)始工作,MOS 管開(kāi)始正常的導通和關(guān)斷。此時(shí),電流不再從體二極管流過(guò),而是從 MOS 的溝道流過(guò),從而實(shí)現高效的同步整流。

同步整流管導通


DCM 工作時(shí),由于電感的激磁作用,當初級芯片關(guān)斷時(shí),會(huì )產(chǎn)生振蕩。為了防止誤檢測振蕩信號,導致同步整流管的異常開(kāi)啟, LP3610S 采用專(zhuān)利的整流管開(kāi)通技術(shù)。

當初級芯片關(guān)斷時(shí),次級 LP3610S 的漏極 D 與GND 之間的電壓迅速下降。 LP3610S 通過(guò)檢測 D和 GND 之間的下降電壓閾值和下降速率,能準確
的判斷同步整流管的開(kāi)啟。

開(kāi)通條件:

TSR>0.5uS & dVds/dt> K & Vds<-0.2V



同步整流管關(guān)斷


為了避免同步整流管導通時(shí),因激磁振蕩幅度較大,導致誤檢測關(guān)斷信號,使同步整流管異常的關(guān)斷;LP3610S 通過(guò)整流管關(guān)斷閾值,能準確地判斷同步整流管的關(guān)斷。

關(guān)斷條件:同步整流一旦開(kāi)通,在比較器屏蔽時(shí)間 Tb 內不進(jìn)行關(guān)斷動(dòng)作。當 Ton>Tb&The Vds voltage >-5mV,關(guān)斷同步。


PCB 設計指南


在設計 LP3610S 的 PCB 時(shí),需要遵循一些關(guān)鍵的指南以確保最佳性能。首先,主功率回路的走線(xiàn)應盡可能短且粗,以減少電阻損耗。其次,當自供電時(shí),VCC 的旁路電容需要緊靠芯片的 VCC 管腳和 GND 管腳,以減少電源噪聲。此外,當 VCC 接輸出電壓正端供電時(shí),VCC 和 GND 應盡量靠近輸出電容的兩端。最后,增加 D 引腳的鋪銅面積可以提高芯片的散熱性能。

封裝信息


LP3610S 采用 SOP8L 封裝形式,這種封裝不僅尺寸緊湊,而且具有良好的散熱性能和電氣特性。封裝的詳細尺寸信息如下



總結


LP3610S 以其高性能、高可靠性和廣泛的兼容性,成為了開(kāi)關(guān)電源同步整流芯片領(lǐng)域的一顆明珠。它不僅能夠顯著(zhù)提高電源系統的效率,還能通過(guò)集成的多種保護功能確保系統的穩定運行。對于追求高效、穩定電源解決方案的設計工程師來(lái)說(shuō),LP3610S 絕對是一個(gè)值得信賴(lài)的選擇。

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